BUK7212-55B,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 52.5 грн |
| 5000+ | 48.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7212-55B,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 75, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchMOS, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 185, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції BUK7212-55B,118 за ціною від 46.06 грн до 124.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7212-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 75 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 167 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 167 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 185 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 9268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7212-55B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V |
на замовлення 11526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BUK7212-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 59A Pulsed drain current: 335A Power dissipation: 167W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
BUK7212-55B,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7212-55B/SOT428/DPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| BUK7212-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 59A Pulsed drain current: 335A Power dissipation: 167W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |