Продукція > NEXPERIA > BUK7607-55B,118
BUK7607-55B,118

BUK7607-55B,118 Nexperia


4375637410755430buk7607-55b.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 46400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+61.4 грн
8000+ 59.19 грн
12000+ 57.67 грн
20000+ 54.72 грн
24000+ 49.43 грн
40000+ 46.1 грн
Мінімальне замовлення: 4800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7607-55B,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7607-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 75, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 203, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 203, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BUK7607-55B,118 за ціною від 64.58 грн до 107.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK7607-55B,118 BUK7607-55B,118 Виробник : NEXPERIA 2341429.pdf Description: NEXPERIA - BUK7607-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 203
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK7607-55B,118 BUK7607-55B,118 Виробник : NEXPERIA 2341429.pdf Description: NEXPERIA - BUK7607-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 203
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 203
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+107.64 грн
10+ 75.2 грн
100+ 64.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK7607-55B,118 BUK7607-55B,118 Виробник : Nexperia BUK7607-55B-1598699.pdf MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BUK7607-55B,118 BUK7607-55B,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7607-55B.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3760 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK7607-55B,118 BUK7607-55B,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7607-55B.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3760 pF @ 25 V
товар відсутній