BUK762R4-60E,118 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1036A
Power dissipation: 349W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 158nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK762R4-60E,118 NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 120A, Pulsed drain current: 1036A, Power dissipation: 349W, Case: D2PAK; SOT404, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 158nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції BUK762R4-60E,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK762R4-60E,118 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
товар відсутній |
|
 |
BUK762R4-60E,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET |
товар відсутній |
|
| BUK762R4-60E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 1036A Power dissipation: 349W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 158nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |