Продукція > NEXPERIA > BUK7E3R5-60E,127
BUK7E3R5-60E,127

BUK7E3R5-60E,127 Nexperia


3007057806721412buk7e3r5-60e.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+64.57 грн
10+ 61.3 грн
25+ 59.32 грн
50+ 56.48 грн
100+ 47.93 грн
1000+ 45.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7E3R5-60E,127 Nexperia

Description: TRANSISTOR >30MHZ, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 293W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BUK7E3R5-60E,127 за ціною від 64.62 грн до 64.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK7E3R5-60E,127 BUK7E3R5-60E,127 Виробник : NXP USA Inc. BUK7E3R5-60E.pdf Description: TRANSISTOR >30MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
316+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 316
BUK7E3R5-60E,127 BUK7E3R5-60E,127 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7E3R5-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
на замовлення 25177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
316+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 316
BUK7E3R5-60E,127 Виробник : NEXPERIA BUK7E3R5-60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 785A; 293W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 785A
Power dissipation: 293W
Case: I2PAK; SOT226
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK7E3R5-60E,127 BUK7E3R5-60E,127 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7E3R5-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK7E3R5-60E,127 Виробник : Nexperia BUK7E3R5-60E.pdf MOSFET BUK7E3R5-60E/I2PAK/STANDARD MA
товар відсутній
BUK7E3R5-60E,127 Виробник : NEXPERIA BUK7E3R5-60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 785A; 293W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 785A
Power dissipation: 293W
Case: I2PAK; SOT226
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній