BUK9608-55B,118

BUK9608-55B,118 Nexperia USA Inc.


BUK9608-55B.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+81.22 грн
1600+ 66.36 грн
2400+ 63.04 грн
5600+ 56.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9608-55B,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 203W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BUK9608-55B,118 за ціною від 60.59 грн до 183.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Виробник : NEXPERIA BUK9608-55B.pdf Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+105.94 грн
800+ 67.11 грн
1600+ 62.19 грн
3200+ 60.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9608-55B.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+145.24 грн
10+ 116.11 грн
100+ 92.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Виробник : NEXPERIA BUK9608-55B.pdf Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+178.96 грн
10+ 133.47 грн
25+ 124.52 грн
100+ 105.94 грн
800+ 67.11 грн
1600+ 62.19 грн
3200+ 60.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Виробник : Nexperia BUK9608_55B-1382137.pdf MOSFET BUK9608-55B/SOT404/D2PAK
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.79 грн
10+ 159 грн
100+ 111 грн
800+ 97.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Виробник : NEXPERIA BUK9608-55B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 439A; 203W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 439A
Power dissipation: 203W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Виробник : NEXPERIA BUK9608-55B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 439A; 203W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 439A
Power dissipation: 203W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Application: automotive industry
товар відсутній