BUK9M23-80EX

BUK9M23-80EX Nexperia USA Inc.


BUK9M23-80E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.22 грн
10+ 46.72 грн
100+ 36.32 грн
500+ 28.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M23-80EX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9M23-80EX за ціною від 21.77 грн до 104.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK9M23-80EX BUK9M23-80EX Виробник : Nexperia BUK9M23_80E-1539610.pdf MOSFET BUK9M23-80E/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.72 грн
10+ 50.9 грн
100+ 34.5 грн
500+ 29.22 грн
1000+ 25 грн
1500+ 24.27 грн
3000+ 21.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M23-80EX Виробник : NXP BUK9M23-80E.pdf N-MOSFET 80V 37A 5V 79W AUTOMOTIVE BUK9M23-80EX TBUK9m23-80ex
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+104.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M23-80EX BUK9M23-80EX Виробник : Nexperia 268724394292199buk9m23-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M23-80EX BUK9M23-80EX Виробник : Nexperia 268724394292199buk9m23-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M23-80EX BUK9M23-80EX Виробник : Nexperia 268724394292199buk9m23-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M23-80EX BUK9M23-80EX Виробник : NEXPERIA 268724394292199buk9m23-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M23-80EX BUK9M23-80EX Виробник : Nexperia 268724394292199buk9m23-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M23-80EX Виробник : NEXPERIA BUK9M23-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 148A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK9M23-80EX BUK9M23-80EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M23-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK9M23-80EX Виробник : NEXPERIA BUK9M23-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 148A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній