BUK9M23-80EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 59.22 грн |
10+ | 46.72 грн |
100+ | 36.32 грн |
500+ | 28.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M23-80EX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M23-80EX за ціною від 21.77 грн до 104.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUK9M23-80EX | Виробник : Nexperia | MOSFET BUK9M23-80E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 7249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK9M23-80EX | Виробник : NXP |
N-MOSFET 80V 37A 5V 79W AUTOMOTIVE BUK9M23-80EX TBUK9m23-80ex кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK9M23-80EX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK9M23-80EX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK9M23-80EX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK9M23-80EX | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK9M23-80EX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK9M23-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 148A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 26A Pulsed drain current: 148A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK9M23-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK9M23-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 148A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 26A Pulsed drain current: 148A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |