Продукція > MIT > CM600HA24H

CM600HA24H MIT


Виробник: MIT
MODULE
на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CM600HA24H MIT

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: single transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 600A, Pulsed collector current: 1.2kA, Electrical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції CM600HA24H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CM600HA-24H
Код товару: 62482
CM600HA-24H.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
CM600HA-24H Виробник : MITSUBISHI ELECTRIC CM600HA-24H.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CM600HA-24H Виробник : Powerex Inc. CM600HA-24H.pdf Description: IGBT MOD 1200V 600A 4100W
товар відсутній
CM600HA-24H Виробник : MITSUBISHI ELECTRIC CM600HA-24H.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
товар відсутній