DIT150N03 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 57.42 грн |
8+ | 48.47 грн |
10+ | 42.93 грн |
23+ | 35.24 грн |
63+ | 33.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIT150N03 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET TO220AB N 30V 0.0023OHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DIT150N03 за ціною від 39.96 грн до 148.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIT150N03 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 105A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 249 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DIT150N03 | Виробник : Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, TO-220AB, 30V, 150A, 175C, N |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DIT150N03 Код товару: 198104 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
DIT150N03 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DIT150N03 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO220AB N 30V 0.0023OHM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
товар відсутній |