DS1245AB-120IND+
Виробник: на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1245AB-120IND+
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Part Status: Obsolete, Write Cycle Time - Word, Page: 120ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 120 ns, Memory Organization: 128K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції DS1245AB-120IND+
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1245AB-120IND | Виробник : DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1245AB-120IND+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP |
товар відсутній |
||
| DS1245AB-120IND+ | Виробник : Maxim Integrated Products |
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP |
товар відсутній |
||
 |
DS1245AB-120IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
|
|
DS1245AB-120IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
 |
DS1245AB-120IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |