DTC115EUAT106

DTC115EUAT106 ROHM Semiconductor


ROHM_S_A0008988687_1-2562811.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 20MA
на замовлення 2862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.86 грн
16+ 19.04 грн
100+ 8.77 грн
500+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC115EUAT106 ROHM Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms.

Інші пропозиції DTC115EUAT106

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC115EUAT106 Виробник : ROHM datasheet?p=DTC115EUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 00+
на замовлення 85550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTC115EUA T106 Виробник : ROHM SOT23
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTC115EUA T106 Виробник : ROHM SOT23/SOT323
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTC115EUAT106 DTC115EUAT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC115EUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товар відсутній
DTC115EUAT106 DTC115EUAT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC115EUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товар відсутній