Продукція > IR > FB180SA10

FB180SA10 IR


Виробник: IR

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FB180SA10 IR

Description: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 108A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FB180SA10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FB180SA10 Виробник : EUPEC MODULE
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FB180SA10 FB180SA10
Код товару: 42818
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FB180SA10 FB180SA10 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 108A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
товар відсутній
FB180SA10 FB180SA10 Виробник : Vishay / Siliconix Discrete Semiconductor Modules 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET SOT-227 (Iso)
товар відсутній