FDA59N30

FDA59N30 onsemi


FAIRS47594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 25 V
на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+273.99 грн
30+ 209.1 грн
120+ 179.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA59N30 onsemi

Description: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDA59N30 за ціною від 124.95 грн до 309.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDA59N30 FDA59N30 Виробник : onsemi / Fairchild FDA59N30_D-2312145.pdf MOSFET 500V NCH MOSFET
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+297.04 грн
10+ 246.53 грн
30+ 201.84 грн
120+ 172.82 грн
270+ 162.92 грн
510+ 153.69 грн
1020+ 135.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDA59N30 FDA59N30 Виробник : ONSEMI 2304266.pdf Description: ONSEMI - FDA59N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 59 A, 0.047 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+309.3 грн
10+ 187.95 грн
100+ 167.23 грн
500+ 138.11 грн
1000+ 124.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDA59N30 FDA59N30
Код товару: 99422
FAIRS47594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDA59N30 FDA59N30 Виробник : ON Semiconductor fda59n30.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FDA59N30 FDA59N30 Виробник : ON Semiconductor fda59n30.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FDA59N30 FDA59N30 Виробник : ON Semiconductor fda59n30.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FDA59N30 FDA59N30 Виробник : ON Semiconductor fda59n30.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FDA59N30 FDA59N30 Виробник : ONSEMI FAIRS47594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDA59N30 FDA59N30 Виробник : ONSEMI FAIRS47594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній