FDB52N20TM ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 133.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB52N20TM ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FDB52N20TM за ціною від 57.14 грн до 183.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDB52N20TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 52A Power dissipation: 357W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDB52N20TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 52A Power dissipation: 357W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDB52N20TM | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Ch MOSFET |
на замовлення 18308 шт: термін постачання 513-522 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDB52N20TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDB52N20TM | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 132 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDB52N20TM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
FDB52N20TM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
FDB52N20TM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
FDB52N20TM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
FDB52N20TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||
FDB52N20TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
товар відсутній |