FDC6327C ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6327C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDC6327C за ціною від 9.79 грн до 37.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC6327C | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 14800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6327C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6327C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6327C | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 2.7/-1.9A On-state resistance: 0.13/0.27Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6327C | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 2.7/-1.9A On-state resistance: 0.13/0.27Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6327C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6327C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6327C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 14907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6327C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 COMP N-P CH |
на замовлення 55547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6327C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDC6327C Код товару: 28579 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC6327C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |