на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.03 грн |
| 6000+ | 8.99 грн |
| 9000+ | 8.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC655BN ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDC655BN за ціною від 7.96 грн до 37.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC655BN | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC655BN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 800mW euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 76718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V |
на замовлення 46812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC655BN | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET |
на замовлення 53189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 800mW euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 76718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
FDC655BN Код товару: 169802 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDC655BN | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.3A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDC655BN | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.3A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |