FDD2670 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 51.2 грн |
| 5000+ | 47.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD2670 onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FDD2670 за ціною від 48.08 грн до 124.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD2670 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V |
на замовлення 7496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD2670 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET |
на замовлення 2518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDD2670 | Виробник : FAIRCHILD |
|
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDD2670 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDD2670 | Виробник : FAIRCHILD |
D-PAK/ TO-252 |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDD2670 | Виробник : FAIRCHILD |
TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDD2670 | Виробник : fairchild |
to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
FDD2670 Код товару: 126745 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
FDD2670 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDD2670 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDD2670 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.6A; Idm: 20A; 70W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Power dissipation: 70W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.6A On-state resistance: 275mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDD2670 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.6A; Idm: 20A; 70W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Power dissipation: 70W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.6A On-state resistance: 275mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A |
товар відсутній |