FDD5614P ON Semiconductor
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 33.66 грн |
10000+ | 32.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD5614P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDD5614P за ціною від 18.01 грн до 60.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD5614P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDD5614P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 42W Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 48159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDD5614P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDD5614P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 42W Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 48159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDD5614P Код товару: 29177 |
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D-Pak Uds,V: 60 V Id,A: 15 A Rds(on),Om: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 759/15 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||
FDD5614P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDD5614P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDD5614P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDD5614P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDD5614P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDD5614P | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 60V P-Ch PowerTrench |
товар відсутній |