FDD5614P

FDD5614P ON Semiconductor


fdd5614p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+33.66 грн
10000+ 32.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD5614P ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDD5614P за ціною від 18.01 грн до 60.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD5614P FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
303+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 303
FDD5614P FDD5614P Виробник : ONSEMI 2298242.pdf Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 48159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+39.88 грн
500+ 31.54 грн
2500+ 18.84 грн
7500+ 18.58 грн
20000+ 18.39 грн
37500+ 18.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD5614P FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+53.51 грн
5000+ 48.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDD5614P FDD5614P Виробник : ONSEMI 2298242.pdf Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 48159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+60.31 грн
15+ 50.32 грн
100+ 39.88 грн
500+ 31.54 грн
2500+ 18.84 грн
7500+ 18.58 грн
20000+ 18.39 грн
37500+ 18.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDD5614P FDD5614P
Код товару: 29177
Виробник : Fairchild FD%2FFDD5614P.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 60 V
Id,A: 15 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 759/15
Монтаж: SMD
товар відсутній
FDD5614P FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD5614P FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD5614P FDD5614P Виробник : onsemi fdd5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
товар відсутній
FDD5614P FDD5614P Виробник : onsemi fdd5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
товар відсутній
FDD5614P FDD5614P Виробник : onsemi / Fairchild FDD5614P_D-2312065.pdf MOSFET 60V P-Ch PowerTrench
товар відсутній