FDG316P

FDG316P Fairchild Semiconductor


FAIRS16229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 15 V
на замовлення 2479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1466+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 1466
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG316P Fairchild Semiconductor

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDG316P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDG316P FDG316P Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDG316P-D-1806954.pdf MOSFET SC70-6 P-CH -30V
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDG316P Виробник : ONSEMI FAIRS16229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.6A; 0.75W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.75W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDG316P Виробник : ONSEMI FAIRS16229-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.6A; 0.75W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.75W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній