на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG6303N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.45 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25, Dauer-Drainstrom Id: 500, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FDG6303N за ціною від 6.31 грн до 36.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDG6303N | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
на замовлення 37650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDG6303N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.3A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 On-state resistance: 770mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDG6303N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.3A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 On-state resistance: 770mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDG6303N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
на замовлення 38610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDG6303N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SC70-6 N-CH 25V |
на замовлення 64553 шт: термін постачання 422-431 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDG6303N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 16670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDG6303N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.45 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 500 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |