на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG6304P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDG6304P за ціною від 10.32 грн до 38.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDG6304P | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG6304P | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W; SC70-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.41A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6304P | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W; SC70-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.41A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG6304P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm Verlustleistung Pd: 300mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6304P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
на замовлення 9775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG6304P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SC70-6 P-CH -25V |
на замовлення 8135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|