Продукція > ONSEMI > FDMS86163P
FDMS86163P

FDMS86163P ONSEMI


ONSM-S-A0014467245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+141.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86163P ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMS86163P за ціною від 83.77 грн до 239.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI FDMS86163P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 59nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: PQFN8
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.79 грн
3+ 153.22 грн
8+ 112 грн
20+ 105.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86163P_D-2312402.pdf MOSFET PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.93 грн
10+ 172.19 грн
100+ 132.58 грн
250+ 123.35 грн
500+ 109.5 грн
1000+ 90.37 грн
3000+ 83.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014467245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+236.04 грн
10+ 171.67 грн
100+ 141.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ONSEMI FDMS86163P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 59nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: PQFN8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 457 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.74 грн
3+ 190.94 грн
8+ 134.4 грн
20+ 126.97 грн
3000+ 126.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86163P
Код товару: 177994
fdms86163p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163pcn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi fdms86163p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
товар відсутній
FDMS86163P FDMS86163P Виробник : onsemi fdms86163p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
товар відсутній