FDMS86163P ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 141.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86163P ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMS86163P за ціною від 83.77 грн до 239.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMS86163P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 59nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: PQFN8 |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMS86163P | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMS86163P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMS86163P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 59nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: PQFN8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 457 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMS86163P Код товару: 177994 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FDMS86163P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMS86163P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMS86163P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMS86163P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMS86163P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V |
товар відсутній |