FDN360P

FDN360P ON Semiconductor


fdn360p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.67 грн
6000+ 8.58 грн
9000+ 7.5 грн
15000+ 7.15 грн
24000+ 6.5 грн
30000+ 6.18 грн
45000+ 6.12 грн
75000+ 6.06 грн
99000+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN360P ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDN360P за ціною від 6.97 грн до 53.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.07 грн
6000+ 8.37 грн
9000+ 7.53 грн
30000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI fdn360p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 75045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.87 грн
500+ 13.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 61416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.54 грн
11+ 25.15 грн
100+ 15.07 грн
500+ 13.09 грн
1000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN360P FDN360P Виробник : onsemi / Fairchild FDN360P_D-2312718.pdf MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 66698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.48 грн
11+ 29.13 грн
100+ 12.99 грн
1000+ 9.76 грн
3000+ 8.31 грн
9000+ 7.78 грн
24000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI fdn360p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 75045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+40.99 грн
23+ 32.41 грн
100+ 14.87 грн
500+ 13.54 грн
Мінімальне замовлення: 19
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI FDN360P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+53.28 грн
25+ 19.78 грн
80+ 12.35 грн
215+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDN360P FDN360P Виробник : ONSEMI FDN360P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDN360P Виробник : ON-Semicoductor fdn360p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN360P Виробник : On Semiconductor/Fairchild fdn360p-d.pdf SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDN360P FDN360P
Код товару: 75653
fdn360p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN360P FDN360P Виробник : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній