Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDN372S
FDN372S

FDN372S Fairchild Semiconductor

FAIRS20161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 105742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1902+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 1902
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN372S Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDN372S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN372S Виробник : FSC FAIRS20161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN372S.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN372S Виробник : SAM FAIRS20161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN372S.pdf SOT 08+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN372S FDN372S Виробник : onsemi FDN372S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
товар відсутній