Продукція > ONSEMI > FDN86501LZ
FDN86501LZ

FDN86501LZ onsemi

fdn86501lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+58.53 грн
6000+ 54.24 грн
9000+ 52.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN86501LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDN86501LZ за ціною від 55.68 грн до 151.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN86501LZ FDN86501LZ Виробник : onsemi fdn86501lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
на замовлення 36536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.1 грн
10+ 103.85 грн
100+ 82.64 грн
500+ 65.62 грн
1000+ 55.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDN86501LZ FDN86501LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDN86501LZ_D-2312592.pdf MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 2.6 A, 116 mohm
на замовлення 34398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.04 грн
10+ 133.77 грн
100+ 93.98 грн
500+ 77.55 грн
1000+ 63.62 грн
3000+ 59.21 грн
6000+ 58.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDN86501LZ Виробник : ON Semiconductor fdn86501lz-d.pdf
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)