FDP036N10A onsemi / Fairchild
на замовлення 8426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 290.59 грн |
| 10+ | 279.63 грн |
| 50+ | 212.27 грн |
| 100+ | 193.87 грн |
| 250+ | 191.9 грн |
| 500+ | 172.18 грн |
| 1000+ | 159.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP036N10A onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP036N10A за ціною від 164.25 грн до 432.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP036N10A | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V |
на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP036N10A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP036N10A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP036N10A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDP036N10A | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
FDP036N10A Код товару: 94301 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми 8542 39 90 00 |
товар відсутній
|
||||||||||||||
 |
FDP036N10A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FDP036N10A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |