Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDP18N20F
FDP18N20F

FDP18N20F onsemi / Fairchild

FDPF18N20FT_D-2313219.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V N-Channel
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.91 грн
10+ 106.83 грн
100+ 71.81 грн
500+ 59.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP18N20F onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP18N20F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP18N20F FDP18N20F Виробник : ON Semiconductor fdpf18n20ft-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP18N20F FDP18N20F Виробник : ONSEMI 2907322.pdf Description: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDP18N20F FDP18N20F Виробник : onsemi fdpf18n20ft-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товар відсутній