на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.28 грн |
| 10+ | 136.79 грн |
| 100+ | 98.58 грн |
| 500+ | 82.81 грн |
| 1000+ | 69.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP52N20 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP52N20 за ціною від 86.26 грн до 187.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP52N20 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP52N20 Код товару: 129721 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
 |
FDP52N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FDP52N20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FDP52N20 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FDP52N20 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FDP52N20 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |