FDPF51N25

FDPF51N25 onsemi


fdpf51n25rdtu-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF51N25 onsemi

Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDPF51N25 за ціною від 79 грн до 206.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDPF51N25 FDPF51N25 Виробник : ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf Description: ONSEMI - FDPF51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 28 A, 0.06 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 117
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+206.76 грн
10+ 175.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDPF51N25 Виробник : ON-Semicoductor fdpf51n25rdtu-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 38W; -55°C ~ 150°C; FDPF51N25 TFDPF51n25
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+79 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDPF51N25
Код товару: 128803
fdpf51n25rdtu-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDPF51N25 FDPF51N25 Виробник : ON Semiconductor 3944860003935757fdpf51n25rdtu-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF51N25 FDPF51N25 Виробник : ON Semiconductor 3944860003935757fdpf51n25rdtu-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF51N25 FDPF51N25 Виробник : ON Semiconductor 3944860003935757fdpf51n25rdtu-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF51N25 FDPF51N25 Виробник : ONSEMI FDPF51N25.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
On-state resistance: 48mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF51N25 Виробник : Fairchild Semiconductor fdpf51n25rdtu-d.pdf Description: POWFIELD-EFFETRANSISTO282500.06O
Packaging: Tube
товар відсутній
FDPF51N25 FDPF51N25 Виробник : onsemi / Fairchild FDPF51N25RDTU_D-2313057.pdf MOSFET 250V N-Channel MOSFET
товар відсутній
FDPF51N25 FDPF51N25 Виробник : ONSEMI FDPF51N25.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
On-state resistance: 48mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
товар відсутній