FDS2572 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.5 грн |
| 5000+ | 44.95 грн |
| 12500+ | 43.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS2572 onsemi
Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDS2572 за ціною від 42.31 грн до 128.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS2572 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2572 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V |
на замовлення 17196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS2572 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench |
на замовлення 11596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS2572 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS2572 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS2572 | Виробник : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |