на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4685 ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDS4685 за ціною від 25.55 грн до 103.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS4685 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4685 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V |
на замовлення 21196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS4685 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 40V PCH POWER TRENCH MOSFET |
на замовлення 5236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS4685 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.2A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 |
на замовлення 1113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4685 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.2A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1113 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS4685 | Виробник : Fairchild |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FDS4685 Код товару: 82291 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |