FDS6679AZ

FDS6679AZ Fairchild


FD%2FFDS6679AZ.pdf
Код товару: 34125
Виробник: Fairchild
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності 70 шт:

26 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+34.5 грн
10+ 31.9 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6679AZ за ціною від 22.41 грн до 85.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.62 грн
5000+ 23.49 грн
12500+ 22.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.92 грн
5000+ 24.48 грн
10000+ 23.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.49 грн
5000+ 25.02 грн
10000+ 24.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.53 грн
5000+ 25.06 грн
10000+ 24.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
на замовлення 4625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+47.28 грн
500+ 37.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 14806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.08 грн
10+ 48.78 грн
100+ 37.95 грн
500+ 30.19 грн
1000+ 24.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.8mΩ
Gate charge: 96nC
Drain current: -13A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.9 грн
9+ 40.54 грн
25+ 35.73 грн
26+ 31.47 грн
70+ 29.82 грн
500+ 29.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS6679AZ_D-2313096.pdf MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 19377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.26 грн
10+ 51.43 грн
100+ 31.07 грн
500+ 28.56 грн
1000+ 25.33 грн
2500+ 23.35 грн
5000+ 22.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.8mΩ
Gate charge: 96nC
Drain current: -13A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.47 грн
6+ 50.52 грн
25+ 42.87 грн
26+ 37.76 грн
70+ 35.78 грн
500+ 35.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
на замовлення 4625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+85.09 грн
12+ 65.26 грн
100+ 47.28 грн
500+ 37.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDS6679AZ Виробник : Fairchild fds6679az-d.pdf P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній

З цим товаром купують

SI4835DDY
Код товару: 101041
SI4835DDY
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 11 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+36 грн
10+ 32.4 грн
200 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-200KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3540
RC_series.pdf
200 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-200KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 200 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 6995 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.15 грн
1000+ 0.12 грн
10000+ 0.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF8736TRPBF
Код товару: 25137
irf8736pbf.pdf
IRF8736TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 323 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+15 грн
10+ 13.5 грн
100+ 12.2 грн
MCP6001T-I/OT
Код товару: 25675
MCP6001-1R-1U-2-4-1-MHz-Low-Power-Op-Amp-DS20001733L.pdf
MCP6001T-I/OT
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOT-23-5
Vc, V: 1,8...5,5 V
BW,MHz: 1 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): -4,5...+4,5 mV
Температурний діапазон: -40…+85°C
у наявності: 288 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+15 грн
10+ 13.5 грн
100+ 12 грн
IRLR7833TRPBF
Код товару: 35240
irlr7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566dd6b626d3
IRLR7833TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4010/33
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1747 шт
очікується: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+49.5 грн
10+ 45.4 грн
100+ 41.3 грн
1000+ 36.5 грн