FDS6679AZ Fairchild
Код товару: 34125
Виробник: FairchildКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності 70 шт:
26 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 34.5 грн |
10+ | 31.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS6679AZ за ціною від 22.41 грн до 85.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm |
на замовлення 4625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
на замовлення 14806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar On-state resistance: 14.8mΩ Gate charge: 96nC Drain current: -13A Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: -30V |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 19377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar On-state resistance: 14.8mΩ Gate charge: 96nC Drain current: -13A Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm |
на замовлення 4625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : Fairchild |
P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
SI4835DDY Код товару: 101041 |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 11 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 36 грн |
10+ | 32.4 грн |
200 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-200KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3540 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 200 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 200 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 6995 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
10000+ | 0.09 грн |
IRF8736TRPBF Код товару: 25137 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 323 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12.2 грн |
MCP6001T-I/OT Код товару: 25675 |
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOT-23-5
Vc, V: 1,8...5,5 V
BW,MHz: 1 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): -4,5...+4,5 mV
Температурний діапазон: -40…+85°C
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOT-23-5
Vc, V: 1,8...5,5 V
BW,MHz: 1 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): -4,5...+4,5 mV
Температурний діапазон: -40…+85°C
у наявності: 288 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12 грн |
IRLR7833TRPBF Код товару: 35240 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4010/33
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4010/33
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1747 шт
очікується:
10 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 49.5 грн |
10+ | 45.4 грн |
100+ | 41.3 грн |
1000+ | 36.5 грн |