FDS6912A onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 52.61 грн |
| 10+ | 43.74 грн |
| 100+ | 30.27 грн |
| 500+ | 23.73 грн |
| 1000+ | 20.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6912A onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDS6912A за ціною від 17.35 грн до 58.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6912A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V |
на замовлення 5907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS6912A | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
FDS6912A Код товару: 148756 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDS6912A | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8 Case: SO8 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Gate charge: 8.1nC Technology: PowerTrench® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 28mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS6912A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS6912A | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8 Case: SO8 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Gate charge: 8.1nC Technology: PowerTrench® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 28mΩ |
товар відсутній |