FDS6930B onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 41.94 грн |
| 10+ | 34.84 грн |
| 100+ | 24.19 грн |
| 500+ | 17.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6930B onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDS6930B за ціною від 12.88 грн до 45.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6930B | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH |
на замовлення 31934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6930B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
FDS6930B Код товару: 118461 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6930B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDS6930B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDS6930B | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 62mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDS6930B | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDS6930B | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 62mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |