Продукція > FAI > FDS7066N3

FDS7066N3 FAI


FDS7066N3.pdf Виробник: FAI
02+
на замовлення 710 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS7066N3 FAI

Description: MOSFET N-CH 30V 23A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO FLMP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4973 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS7066N3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS7066N3 Виробник : FAIRCHIL FDS7066N3.pdf 09+ SOP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS7066N3 Виробник : FAIRCHILD FDS7066N3.pdf 07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS7066N3 Виробник : FAIRCHILD FDS7066N3.pdf SO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS7066N3 Виробник : FSC FDS7066N3.pdf
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS7066N3 FDS7066N3 Виробник : ON Semiconductor fds7066n3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin FLMP SOIC T/R
товар відсутній
FDS7066N3 FDS7066N3 Виробник : onsemi FDS7066N3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4973 pF @ 15 V
товар відсутній