FDS9933A

FDS9933A ON Semiconductor


3346271787089813fds9933a.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
246+46.59 грн
247+ 46.36 грн
283+ 40.48 грн
285+ 38.81 грн
500+ 32.46 грн
1000+ 27.39 грн
Мінімальне замовлення: 246
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS9933A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції FDS9933A за ціною від 24.8 грн до 81.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS9933A FDS9933A Виробник : ON Semiconductor 3346271787089813fds9933a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+46.72 грн
14+ 42.32 грн
25+ 42.11 грн
100+ 35.58 грн
250+ 32.61 грн
500+ 28.72 грн
1000+ 25.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDS9933A FDS9933A Виробник : ONSEMI 2304306.pdf Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+62.16 грн
14+ 55.2 грн
100+ 43.14 грн
500+ 33.12 грн
1000+ 24.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDS9933A FDS9933A Виробник : onsemi / Fairchild FDS9933A_D-2312915.pdf MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.8 грн
10+ 65.92 грн
100+ 44.66 грн
500+ 36.87 грн
1000+ 32.06 грн
2500+ 28.76 грн
5000+ 28.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS9933A FDS9933A Виробник : onsemi fds9933a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.34 грн
10+ 70.22 грн
100+ 54.74 грн
500+ 42.44 грн
1000+ 33.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS9933A FDS9933A Виробник : ON Semiconductor 3346271787089813fds9933a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS9933A FDS9933A Виробник : ON Semiconductor 3346271787089813fds9933a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS9933A FDS9933A Виробник : ON Semiconductor 3346271787089813fds9933a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS9933A FDS9933A Виробник : ON Semiconductor 3346271787089813fds9933a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS9933A FDS9933A Виробник : ONSEMI fds9933a-d.pdf FAIRS15939-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -20A
Gate-source voltage: ±8V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 120mΩ
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: PowerTrench®
товар відсутній
FDS9933A FDS9933A Виробник : onsemi fds9933a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товар відсутній
FDS9933A FDS9933A Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS15939-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
FDS9933A FDS9933A Виробник : ONSEMI fds9933a-d.pdf FAIRS15939-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -20A
Gate-source voltage: ±8V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 120mΩ
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: PowerTrench®
товар відсутній