FDT3612 ON Semiconductor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 16.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT3612 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.7, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FDT3612 за ціною від 13.62 грн до 156 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDT3612 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDT3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDT3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDT3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDT3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDT3612 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V |
на замовлення 39473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDT3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDT3612 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V NCh PowerTrench |
на замовлення 48273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDT3612 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 3 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| FDT3612 | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 3,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 632 @ 50; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 120 мОм @ 3,7 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
FDT3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
FDT3612 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 3W; SOT223 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Drain current: 3.7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 On-state resistance: 245mΩ Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
FDT3612 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 3W; SOT223 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Drain current: 3.7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 On-state resistance: 245mΩ Mounting: SMD |
товар відсутній |