FDT434P Fairchild/ON Semiconductor
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1187 @ 10; Qg, нКл = 19 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 6 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1187 @ 10; Qg, нКл = 19 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 6 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 166 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
48+ | 13.23 грн |
51+ | 12.36 грн |
100+ | 11.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT434P Fairchild/ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDT434P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FDT434P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||
FDT434P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||
FDT434P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V |
товар відсутній |
||
FDT434P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V |
товар відсутній |
||
FDT434P | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SOT-223 P-CH -20V |
товар відсутній |