FDV303N

FDV303N Fairchild


fdv303n-108963-datasheet.pdf
Код товару: 46231
Виробник: Fairchild
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
Монтаж: SMD
у наявності 379 шт:

127 шт - склад
87 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
95 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+6 грн
10+ 5.4 грн
100+ 4.9 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDV303N за ціною від 2.68 грн до 32.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
93+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 93
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI 1874902.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
на замовлення 279986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1274+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 1274
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI FDV303N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+12.05 грн
53+ 6.63 грн
176+ 4.54 грн
484+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 31
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI FDV303N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6690 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+14.46 грн
50+ 8.26 грн
176+ 5.44 грн
484+ 5.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.45 грн
36+ 16.24 грн
100+ 6 грн
1000+ 3.85 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDV303N FDV303N Виробник : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.54 грн
16+ 17.89 грн
100+ 9.05 грн
500+ 6.93 грн
1000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDV303N FDV303N Виробник : onsemi / Fairchild FDV303N_D-2313323.pdf MOSFET N-Ch Digital
на замовлення 148407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.77 грн
15+ 21.12 грн
100+ 10.41 грн
1000+ 5.24 грн
3000+ 4.57 грн
9000+ 3.65 грн
24000+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI 1874902.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
на замовлення 279986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.43 грн
34+ 22.31 грн
100+ 8.78 грн
500+ 8.01 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDV303N FDV303N Виробник : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV303N Виробник : UMW fdv303n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV303N Виробник : ON-Semicoductor fdv303n-d.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+3 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV303N Виробник : ON-Semicoductor fdv303n-d.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+3 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV303N Виробник : VBsemi fdv303n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 75
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній

З цим товаром купують

IRLML6346TRPBF
Код товару: 48281
irlml6346pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
IRLML6346TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 225 шт
очікується: 2000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+4 грн
10+ 3.2 грн
100+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLML2402TRPBF
Код товару: 1173
irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3601 шт
очікується: 6000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3.5 грн
10+ 2.9 грн
100+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP55NF06
Код товару: 1982
description STP55NF06_.pdf
STP55NF06
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
Монтаж: THT
у наявності: 120 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+23.5 грн
10+ 22 грн
Запобіжник 5х20мм 10A 250V (GT1-4602A-10A/250V)
Код товару: 22669
Запобіжник 5х20мм 10A 250V (GT1-4602A-10A/250V)
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий, у склі, 10A 250V 5х20мм F
Номінальний струм: 10 А
Розмір: 5x20 mm
Фізичне виконання: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
у наявності: 1885 шт
очікується: 10450 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+2.5 грн
10+ 1.9 грн
100+ 1.4 грн
1000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLML6402TRPBF
Код товару: 27968
IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 10887 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+9 грн
10+ 8 грн
100+ 7.2 грн
1000+ 6.5 грн