FDV303N Fairchild
Код товару: 46231
Виробник: FairchildUds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
Монтаж: SMD
у наявності 379 шт:
127 шт - склад
87 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
95 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 5.4 грн |
100+ | 4.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDV303N за ціною від 2.68 грн до 32.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm |
на замовлення 279986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 6690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6690 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch Digital |
на замовлення 148407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm |
на замовлення 279986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 1338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1059 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRLML6346TRPBF Код товару: 48281 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 225 шт
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4 грн |
10+ | 3.2 грн |
100+ | 2.7 грн |
IRLML2402TRPBF Код товару: 1173 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3601 шт
очікується:
6000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3.5 грн |
10+ | 2.9 грн |
100+ | 2.5 грн |
STP55NF06 Код товару: 1982 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
Монтаж: THT
у наявності: 120 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 23.5 грн |
10+ | 22 грн |
Запобіжник 5х20мм 10A 250V (GT1-4602A-10A/250V) Код товару: 22669 |
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий, у склі, 10A 250V 5х20мм F
Номінальний струм: 10 А
Розмір: 5x20 mm
Фізичне виконання: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
Короткий опис: Запобіжник плавкий, у склі, 10A 250V 5х20мм F
Номінальний струм: 10 А
Розмір: 5x20 mm
Фізичне виконання: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
у наявності: 1885 шт
очікується:
10450 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 2.5 грн |
10+ | 1.9 грн |
100+ | 1.4 грн |
1000+ | 1.1 грн |
IRLML6402TRPBF Код товару: 27968 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 10887 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
1000+ | 6.5 грн |