FEPB16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.41 грн |
| 10+ | 92.96 грн |
| 100+ | 63.88 грн |
| 500+ | 58.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FEPB16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8Ax2; 50ns; D2PAK; Ufmax: 1.5V, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 600V, Load current: 8A x2, Reverse recovery time: 50ns, Semiconductor structure: common cathode; double, Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Capacitance: 60pF, Case: D2PAK, Max. forward voltage: 1.5V, Max. forward impulse current: 125A, Leakage current: 500µA, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції FEPB16JT-E3/45
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FEPB16JT-E3/45 | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
товар відсутній |
|
 |
FEPB16JT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO263AB |
товар відсутній |
|
 |
FEPB16JT-E3/45 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8Ax2; 50ns; D2PAK; Ufmax: 1.5V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 600V Load current: 8A x2 Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 60pF Case: D2PAK Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 125A Leakage current: 500µA Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |