FES10J onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 34.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FES10J onsemi
Description: ONSEMI - FES10J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.8 V, 40 ns, 150 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-277, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.8V, Sperrverzögerungszeit: 40ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FES10J за ціною від 29.64 грн до 102.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FES10J | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO277-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 10507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FES10J | Виробник : onsemi / Fairchild | Rectifiers 10A 600V Ultra Fast |
на замовлення 26858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FES10J | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FES10J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.8 V, 40 ns, 150 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.8V Sperrverzögerungszeit: 40ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FES10J | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 10A 40ns 3-Pin(2+Tab) TO-277 T/R |
товар відсутній |