Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FJP2160DTU
FJP2160DTU

FJP2160DTU ON Semiconductor

fjp2160d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 800V 2A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 18
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FJP2160DTU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 800V 2A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 330mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V, Frequency - Transition: 5MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 100 W.

Інші пропозиції FJP2160DTU за ціною від 31.4 грн до 44.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FJP2160DTU FJP2160DTU Виробник : ON Semiconductor fjp2160d.pdf Trans GP BJT NPN 800V 2A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
336+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 336
FJP2160DTU FJP2160DTU Виробник : ON Semiconductor fjp2160d.pdf Trans GP BJT NPN 800V 2A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+38.33 грн
489+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 16
FJP2160DTU FJP2160DTU Виробник : onsemi FAIR-S-A0002366007-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 800V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 330mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
489+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 489
FJP2160DTU FJP2160DTU Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FJP2160D-1300693.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN/1600V/3A
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FJP2160DTU Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002366007-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FJP2160DTU - POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, NPN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FJP2160DTU FJP2160DTU
Код товару: 87278 		FAIR-S-A0002366007-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
FJP2160DTU FJP2160DTU Виробник : ON Semiconductor fjp2160d.pdf Trans GP BJT NPN 800V 2A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FJP2160DTU FJP2160DTU Виробник : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366007-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 800V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 330mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній