Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FQA65N20
FQA65N20

FQA65N20 onsemi / Fairchild

FQA65N20_D-1809466.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V N-Channel QFET
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+458.5 грн
10+ 406.6 грн
25+ 329.25 грн
100+ 285.88 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA65N20 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA65N20 за ціною від 152.68 грн до 152.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQA65N20 Виробник : Fairchild fqa65n20-d.pdf N-MOSFET 65A 200V 310W 0.032Ω FQA65N20 TFQA65n20
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+152.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQA65N20 FQA65N20 Виробник : ON Semiconductor fqa65n20jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA65N20 FQA65N20 Виробник : onsemi fqa65n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA65N20 FQA65N20 Виробник : ONSEMI fqa65n20-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 41A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 41A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній