FQA70N10 ON Semiconductor
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA70N10 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQA70N10 за ціною від 84.31 грн до 230.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA70N10 | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 100V N-Channel QFET |
на замовлення 1628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQA70N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQA70N10 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 70 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 214 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 214 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQA70N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQA70N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FQA70N10 | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 100V 70A 214W FQA70N10 Fairchild TFQA70n10 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FQA70N10 Код товару: 116416 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
FQA70N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49.5A Power dissipation: 214W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQA70N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FQA70N10 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQA70N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49.5A Power dissipation: 214W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |