на замовлення 2230 шт:
термін постачання 273-282 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 201.39 грн |
| 10+ | 167.45 грн |
| 100+ | 117.93 грн |
| 800+ | 92.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB34P10TM onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQB34P10TM за ціною від 128.09 грн до 128.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB34P10TM | Виробник : ON-Semicoductor |
 Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 25V; 60mOhm; 33,5A; 155W; -55°C ~ 175°C; FQB34P10TM TFQB34p10tmкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
FQB34P10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23.5A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
 |
FQB34P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
FQB34P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQB34P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQB34P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
FQB34P10TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQB34P10TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQB34P10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23.5A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |