на замовлення 700 шт:
термін постачання 80-89 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 160.07 грн |
10+ | 142.61 грн |
25+ | 118.07 грн |
100+ | 102.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB8N60CTM onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQB8N60CTM
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FQB8N60CTM | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
FQB8N60CTM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
FQB8N60CTM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
FQB8N60CTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 147W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
FQB8N60CTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
FQB8N60CTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 147W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |