FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM onsemi / Fairchild


FQD18N20V2_D-2313614.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 17220 шт:

термін постачання 655-664 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.5 грн
10+ 78.13 грн
100+ 52.57 грн
500+ 43.86 грн
1000+ 35.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD18N20V2TM onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD18N20V2TM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ONSEMI FQD18N20V2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : onsemi fqd18n20v2-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : onsemi fqd18n20v2-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ONSEMI FQD18N20V2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній