Технічний опис FQL40N50F onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQL40N50F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FQL40N50F | Виробник : FAIRCHIL |
 09+ DIP8 |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FQL40N50F | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 3033 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FQL40N50F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|
|
|
FQL40N50F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|
 |
FQL40N50F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; Idm: 160A; 460W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 25A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 460W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
FQL40N50F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
FQL40N50F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; Idm: 160A; 460W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 25A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 460W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |