HER107G YANGJIE TECHNOLOGY
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 125+ | 3.01 грн |
| 175+ | 2.08 грн |
| 500+ | 1.87 грн |
| 525+ | 1.53 грн |
| 1425+ | 1.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HER107G YANGJIE TECHNOLOGY
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції HER107G за ціною від 1.06 грн до 31.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HER107G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HER107G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| HER107G | Виробник : LGE |
1A; 800V; packaging: ammo; HER107G DO41 LGE DP HER107G LGE кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| HER107G | Виробник : Yangjie Electronic Technology | High Efficient Rectifier |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
HER107G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
HER107G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 800V, High Efficient Recovery Rectifier |
товар відсутній |