HFA3102BZ Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 6 NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.4dB ~ 17.5dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: 14-SOIC
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 563.75 грн |
| 10+ | 465.24 грн |
| 100+ | 387.73 грн |
| 500+ | 321.07 грн |
| 1000+ | 288.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFA3102BZ Renesas Electronics Corporation
Description: RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 6 NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12.4dB ~ 17.5dB, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V, Frequency - Transition: 10GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Supplier Device Package: 14-SOIC.
Інші пропозиції HFA3102BZ за ціною від 300.44 грн до 618 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HFA3102BZ | Виробник : Renesas / Intersil |
RF Bipolar Transistors W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 14 |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| HFA3102BZ | Виробник : Intersil |
SOIC 14/I°/Dual Long-Tailed Pair Transistor Array HFA3102 кількість в упаковці: 50 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| HFA3102BZ | Виробник : RENESAS |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x6; bipolar; RF; 8V; 30mA; 250mW; SO14 Type of transistor: NPN x6 Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 8V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.25W Case: SO14 Current gain: 70 Mounting: SMD Frequency: 10GHz Features of semiconductor devices: dual long-tailed pair transistor array кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| HFA3102BZ | Виробник : RENESAS |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x6; bipolar; RF; 8V; 30mA; 250mW; SO14 Type of transistor: NPN x6 Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 8V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.25W Case: SO14 Current gain: 70 Mounting: SMD Frequency: 10GHz Features of semiconductor devices: dual long-tailed pair transistor array |
товар відсутній |