HFA3127BZ Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 5 NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 804.03 грн |
| 10+ | 681.56 грн |
| 480+ | 534.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFA3127BZ Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - HFA3127BZ - Bipolares Transistor-Array, Fünffach NPN, 8 V, 37 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Fünffach NPN, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції HFA3127BZ за ціною від 478.44 грн до 889.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HFA3127BZ | Виробник : Renesas / Intersil |
RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HFA3127BZ | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - HFA3127BZ - Bipolares Transistor-Array, Fünffach NPN, 8 V, 37 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Fünffach NPN Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| HFA3127BZ | Виробник : Intersil |
Pb-FREE, W/ANNEAL, TXARRAY 5X NPN 16NSOIC MIL HFA3 ITSHFA3127B кількість в упаковці: 48 шт |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
HFA3127BZ | Виробник : RENESAS |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x5; bipolar; RF; 12V; 37mA; 150mW; SO16 Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SO16 Frequency: 8GHz Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 130 Collector current: 37mA Type of transistor: NPN x5 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
HFA3127BZ | Виробник : RENESAS |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x5; bipolar; RF; 12V; 37mA; 150mW; SO16 Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SO16 Frequency: 8GHz Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 130 Collector current: 37mA Type of transistor: NPN x5 |
товар відсутній |